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RDA推出首款国产LTE射频功放与滤波器集成芯片RPF5401

来源:阅读:-2020-08-08 04:09:27
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上海2017年9月25日电 /美通社/ -- 2017年9月25日,作为中国领先的射频及混合信号芯片供应商,锐迪科微电子(以下简称“RDA”)今日宣布推出首款国产LTE射频功率放大器与滤波器集成产品RPF5401,助力中移动B41高功率终端(以下简称“HPUE”)的普及。

RDA推出首款国产LTE射频功放与滤波器集成芯片RPF5401

RPF5401框图

B41具有2496~2690MHz的较宽频带,因此能快速传输移动数据。但由于高频传输的衰减更大,所以高频段的覆盖范围明显低于中低频段;同时由于调制和发射功率的原因,终端发射的覆盖范围也明显低于接收的覆盖范围。增大终端的发射功率,可以提供更完美的网络覆盖和用户体验。移动通信国际标准组织3GPP联合中移动、Sprint等运营商推出Power Class 2的终端标准,称为HPUE。与传统TD-LTE设备相比,HPUE功率增大3dB,覆盖范围增大30%,覆盖效果接近中低频段,不但可以优化通信基础设备的投资,还能提高基站边缘位置的终端用户体验。在中移动等运营商积极推进下,预计明年会有更多的终端将会支持HPUE。

HPUE是目前蜂窝通信射频前端领域最有挑战的技术之一,之前只被少数欧美企业掌握。RPF5401要在B41提高一倍的发射功率,同时控制功耗水平,具有相当的研发难度。RPF540可同时支持B38、B40、B41和B7,并且集成B40和B41的滤波器,既能满足客户的基本需求,又具有相应的灵活性。封装尺寸为3mm*4mm,采用先进的GaAs 倒装PA技术,不仅散热效果更好,发射功率也更高。高度集成的设计能够降低步线损耗,使PA和Filter的阻抗关系达到最优。RPF5401仅针对高频段优化集成,既支持B41 的Class 2要求,又确保成本方面具有优势。作为本土第一款PA滤波器集成产品、本土第一款量产的GaAs PA倒装产品、本土第一款支持B41 HPUE的射频芯片, RPF5401的推出成为国产射频前端芯片的一个重要里程碑。

“RDA推出国产首款‘PA+Filter’集成芯片,突破目前射频前端最有挑战的HPUE技术,进一步了缩小与国际领先企业间的差距,这反映了RDA紧追国际一流水平付出的不懈努力,”RDA 董事长李力游博士表示,“未来5G技术普遍频段较高, HPUE将会进一步普及,市场前景非常看好,HPUE技术的成功国产化具有非常重要的长期意义。”

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